• ¡En oferta!
  • -32,86%
Samsung MZ-V8V1T0BW disco ssd 980 1tb/ m.2 2280 pcie - MZ-V8V1T0BW
  • Samsung MZ-V8V1T0BW disco ssd 980 1tb/ m.2 2280 pcie - MZ-V8V1T0BW

Samsung MZ-V8V1T0BW disco ssd 980 1tb/ m.2 2280 pcie

139,76 €(de precio recomendado)
93,84 € 32,86% de descuento
Impuestos incluidos

Tenemos los mejores y mas baratos Perifericos y accesorios Samsung, compra Samsung MZ-V8V1T0BW disco ssd 980 1tb/ m.2 2280 pcie.

Ref: MZ-V8V1T0BW.
Samsung 980. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 3000 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil

Selecciona zona para cálculo de transporte
Opcion de transporte
Selecciona la provincia de envío y método de envío o recogida
Provincia
MÉTODO DE ENVÍO
Pide Subida a domicilio, Garantía o Seguro
  • (+1.20€.ud.)

Cantidad
Disponible en stock (envío a pie de calle 2-5 días laborables según zona aprox.)

  Extensión de Garantía

Protege tus compras por 2 o 3 años más con nuestra extensión de Garantia

  Modalidades De Pago

Métodos de pago seguro y financiación aceptados

  Métodos de envío

Nuestros métodos de envío

  Política de devoluciones

Condiciones de devolución del producto

Samsung 980. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 3000 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil

Marca: Samsung   Mod: MZ-V8V1T0BW; 

Código EAN: 8806090572210

-Peso y dimensiones
     Peso: 8 g

-Control de energía
     Voltaje de operación: 3,3 V
     Consumo de energía (max): 5,3 W
     Consumo de energía (promedio): 4,6 W

-Condiciones ambientales
     Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
     Vibración operativa: 1500 G

-Características
     Factor de forma de disco SSD: M.2
     SDD, capacidad: 1000 GB
     Interfaz: PCI Express 3.0
     Tipo de memoria: V-NAND
     NVMe: Si
     Componente para: PC/ordenador portátil
     Encriptación de hardware: Si
     Versión NVMe: 1.4
     Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
     Velocidad de lectura: 3500 MB/s
     Velocidad de escritura: 3000 MB/s
     Lectura aleatoria (4KB): 500000 IOPS
     Escritura aleatoria (4KB): 480000 IOPS
     Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
     Soporte S.M.A.R.T.: Si
     Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

MZ-V8V1T0BW
8806090572210
Samsung
2023-03-15

Referencias específicas

Novedad